CM450DY-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM450DY-24S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3330 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 410 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM450DY-24S Datasheet (PDF)
Другие IGBT... CM400HA-24H , CM400HA-28H , CM400HB-90H , CM400HG-66H , CM400HU-24F , CM450DX-24S , CM450DX-24S1 , CM450DXL-34SA , GT30F131 , CM450HA-5F , CM500HA-34A , CM50DU-24F , CM50DY-12H , CM50DY-24H , CM50MXA-24S , CM50RL-24NF , CM50TF-12H .
History: MMG50SR120UK | ISL9V2040S3S | MMG200Q120B6HN | MIXA20W1200MC | MIXA100PM650TMI | DF160R12W2H3_B11 | 2MBI150VA-060-50
History: MMG50SR120UK | ISL9V2040S3S | MMG200Q120B6HN | MIXA20W1200MC | MIXA100PM650TMI | DF160R12W2H3_B11 | 2MBI150VA-060-50



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013