CM450HA-5F - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CM450HA-5F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM450HA-5F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2700 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 6000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1760 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CM450HA-5F

CM450HA-5F Datasheet (PDF)

..1. Size:124K 1
cm450ha-5f.pdf

CM450HA-5FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSingle IGBTMOD450 Amperes/250 VoltsABE D CQ - THD.(2 TYP.)S ERECG FRGDescription:P - THD.H MPowerex IGBTMOD ModulesN - DIA.(2 TYP.) J(2 TYP.)are designed for use in switchingapplications. Each module consistsof one IGBT Tran

9.1. Size:873K 1
cm450dx-24s1.pdf