CM450HA-5F datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM450HA-5F 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 250 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2700 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 6000 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM450HA-5F
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM450HA-5F даташит
cm450ha-5f.pdf
CM450HA-5F Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Single IGBTMOD 450 Amperes/250 Volts A B E D C Q - THD. (2 TYP.) S E R E C G F R G Description P - THD. H M Powerex IGBTMOD Modules N - DIA. (2 TYP.) J (2 TYP.) are designed for use in switching applications. Each module consists of one IGBT Tran
Другие IGBT... CM400HA-28H, CM400HB-90H, CM400HG-66H, CM400HU-24F, CM450DX-24S, CM450DX-24S1, CM450DXL-34SA, CM450DY-24S, IRG4PC50U, CM500HA-34A, CM50DU-24F, CM50DY-12H, CM50DY-24H, CM50MXA-24S, CM50RL-24NF, CM50TF-12H, CM50TF-24H
History: MG1225H-XBN2MM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet





