CM50MXA-24S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM50MXA-24S 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 425 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM50MXA-24S
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM50MXA-24S даташит
Другие IGBT... CM450DX-24S1, CM450DXL-34SA, CM450DY-24S, CM450HA-5F, CM500HA-34A, CM50DU-24F, CM50DY-12H, CM50DY-24H, YGW50N65F1A, CM50RL-24NF, CM50TF-12H, CM50TF-24H, CM50TL-24NF, CM50TU-24F, CM50YE13-12H, CM600DU-24F, CM600DU-24NFH
History: MG12105S-BA1MM | MG12100W-XN2MM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907

