CM75DU-12F - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CM75DU-12F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1400 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM75DU-12F
Технические параметры CM75DU-12F
cm75du-12f.pdf
CM75DU-12F Powerex, Inc., 200 E.Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sists
cm75du-24f.pdf
CM75DU-24F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sist
cm75dy-28h.pdf
CM75DY-28H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Dual IGBTMOD H-Series Module 75 Amperes/1400 Volts A B C F F K Q - DIA. (2 TYP.) M J D C2E1 E2 C1 R N S - M5 THD Description (3 TYP.) (3 TYP.) Powerex IGBTMOD Modules R are designed for use in switching R .110 TAB applications. Each module consists H L H of two IGBT Tr
Другие IGBT... CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H , CM600HG-130H , CM600HG-90H , CM600HN-5F , CM600HU-12F , STGW60V60DF , CM75DU-24F , CM75MXA-24S , CM75MXA-34SA , CM75RL-12NF , CM75RL-24NF , CM75RX-24S , CM75RX-34SA , CM75TL-12NF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73




