CM75MXA-34SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM75MXA-34SA
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1600 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM75MXA-34SA Datasheet (PDF)
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: MMG100S120B6UN | IXGH40N60C2 | 2MBI450U4N-170-50 | IRG4PC40FDPBF | 2MBI300NB-060 | 2MBI900VXA-120P-50 | NGD15N41A
History: MMG100S120B6UN | IXGH40N60C2 | 2MBI450U4N-170-50 | IRG4PC40FDPBF | 2MBI300NB-060 | 2MBI900VXA-120P-50 | NGD15N41A



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733