CM75TL-24NF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM75TL-24NF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 338 nC
Тип корпуса: MODULE
CM75TL-24NF Datasheet (PDF)
cm75tu-24f.pdf
CM75TU-24FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD75 Amperes/1200 VoltsJT (4 TYP.)KS - NUTS (5 TYP)KRCMN PP GUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGU V WPOINT POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesLLLare designed
cm75tu-12f.pdf
CM75TU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD75 Amperes/600 VoltsJT (4 TYP.)S - NUTS (5 TYP) KKRCMN PPGUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGPOINT U V W POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesL N L N Lare designe
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGP6NC60HD | HGTP2N120BN
History: STGP6NC60HD | HGTP2N120BN
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140