Справочник IGBT. CM800HA-66H

 

CM800HA-66H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM800HA-66H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6900 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3800 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM800HA-66H

 

 

CM800HA-66H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  1
 cm800ha-66h.pdf

CM800HA-66H CM800HA-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HA-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Indu

 6.1. Size:109K  1
 cm800ha-50h.pdf

CM800HA-66H CM800HA-66H

 8.1. Size:47K  1
 cm800hb-50h.pdf

CM800HA-66H CM800HA-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-50HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

 8.2. Size:178K  1
 cm800hc-66h.pdf

CM800HA-66H CM800HA-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

 8.3. Size:47K  1
 cm800hb-66h.pdf

CM800HA-66H CM800HA-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top