DIM1200ASM45-TS001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DIM1200ASM45-TS001  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 350 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DIM1200ASM45-TS001

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM1200ASM45-TS001 даташит

 0.1. Size:454K  dynex
 dim1200asm45-ts.pdf pdf_icon

DIM1200ASM45-TS001

Data DIM1200ASM45-TS000 Single Switch IGBT Module Replaces DS6102-1 DS6102-2 October 2013 (LN31073) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the aux

 0.2. Size:458K  dynex
 dim1200asm45-ts001.pdf pdf_icon

DIM1200ASM45-TS001

Data DIM1200ASM45-TS001 Single Switch IGBT Module Replaces DS6107-1 DS6107-2 October 2013 (LN31065) FEATURES KEY PARAMETERS 10.2kV Isolation VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 1200A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 2400A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals

 7.1. Size:421K  dynex
 dim1200fsm17-a.pdf pdf_icon

DIM1200ASM45-TS001

DIM1200FSM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5456-3.5 DS5456-4 November 2010 (LN27718) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not th

 7.2. Size:438K  dynex
 dim1200esm33-f.pdf pdf_icon

DIM1200ASM45-TS001

DIM1200ESM33-F000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5831-2 DS5831-3 May 2011 (LN28347) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.8V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL, DIM1000NSM33-TS, DIM1000XSM33-TL001, DIM1000XSM33-TS001, DIM100PHM33-F, DIM1200ASM45-TS, CRG40T60AK3HD, DIM1200ESM33-F, DIM1200FSM12-A, DIM1200FSM17-A, DIM1200FSS12-A, DIM1500ASM33-TL001, DIM1500ASM33-TS001, DIM1500ESM33-TL, DIM1500ESM33-TS