DIM1600FSS12-A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM1600FSS12-A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13890 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DIM1600FSS12-A
DIM1600FSS12-A Datasheet (PDF)
dim1600fss12-a.pdf
DIM1600FSS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5541-2.4 DS5541-3 October 2010 (LN27660) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1600A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 3200A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary
dim1600fsm12-a.pdf
DIM1600FSM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5533-3.1 DS5533-4 October 2010 (LN27611) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
dim1600fsm17-a.pdf
DIM1600FSM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5455-3.2 DS5455-4 October 2010 (LN27663) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
dim1600ecm17-a.pdf
Preliminary Information DIM1600ECM17-A000 IGBT Chopper Module DS6069-1 September 2011 (LN28672) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1600A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3200A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminal
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2