Справочник IGBT. DIM2400ESS12-A

 

DIM2400ESS12-A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DIM2400ESS12-A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 20830
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 2400
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 230
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 26000
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DIM2400ESS12-A

 

 

DIM2400ESS12-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  dynex
 dim2400ess12-a.pdf

DIM2400ESS12-A DIM2400ESS12-A

DIM2400ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5840-1.1 DS5840-2 October 2010 (LN27616) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 2400A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 4800A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:463K  dynex
 dim2400esm17-a.pdf

DIM2400ESS12-A DIM2400ESS12-A

DIM2400ESM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS54447-5 DS5447-6 June 2012 (LN29603) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the aux

 5.2. Size:437K  dynex
 dim2400esm12-a.pdf

DIM2400ESS12-A DIM2400ESS12-A

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top