DIM2400ESS12-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM2400ESS12-A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
DIM2400ESS12-A Datasheet (PDF)
dim2400ess12-a.pdf

DIM2400ESS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5840-1.1 DS5840-2 October 2010 (LN27616) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 2400A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 4800A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary
dim2400esm17-a.pdf

DIM2400ESM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS54447-5 DS5447-6 June 2012 (LN29603) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the aux
dim2400esm12-a.pdf

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGWA40H65FB | IGC36T120T8L | IGC10T65QE | IGC10R60D | DIM1200ASM45-TS001 | DF80R12W2H3_B11 | T1600GB45G
History: STGWA40H65FB | IGC36T120T8L | IGC10T65QE | IGC10R60D | DIM1200ASM45-TS001 | DF80R12W2H3_B11 | T1600GB45G



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913