DIM400DDM17-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM400DDM17-A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3470 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4500 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DIM400DDM17-A
DIM400DDM17-A Datasheet (PDF)
dim400ddm17-a.pdf

DIM400DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5549-4.1 June 2002 DS5549-5 June 2009 (LN26749) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57I
dim400ddm12-a.pdf

DIM400DDM12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5532-3.1 DS5532-4 November 2009 (LN26754) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57IC(PK) (max) 800A
dim400dds12-a.pdf

DIM400DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5841-1.1 DS5841-2 November 2009 (LN26744) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 400A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57IC(PK) (max) 800A
dim400dcm17-a.pdf

DIM400DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5490-4 DS5490-5 March 2011 (LN28169) KEY PARAMETERS 0.528FEATURES 6 x O70.216VCES 1700V 10s Short Circuit Withstand VCE(sat) * (typ) 2.7V screwing depth0.240IC (max) 400A High Thermal Cycling Capability max 8IC(PK) (max) 800A 0.253 Non Punch Through Silicon * Measured at the power
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXGN60N60C2
History: IXGN60N60C2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690