DIM500GDM33-TL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: DIM500GDM33-TL 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 430 nS
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DIM500GDM33-TL
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
DIM500GDM33-TL даташит
dim500gdm33-tl.pdf
DIM500GDM33-TL000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6113-1 DS6113-2 January 2014 (LN31251) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated
dim500gdm33-ts.pdf
DIM500GDM33-TS000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6097-1 DS6097-2 January 2014 (LN31252) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary term
dim500gcm33-tl.pdf
DIM500GCM33-TL000 IGBT Chopper Module Replaces DS6114-1 DS6114-2 January 2014 (LN31264) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10 s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlS
dim500gcm33-ts.pdf
DIM500GCM33-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6098-1 DS6098-2 January 2014 (LN31263) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminal
Другие IGBT... DIM400NSM33-F, DIM400PBM17-A, DIM400PHM17-A, DIM400XCM33-F, DIM400XCM45-TS, DIM400XCM45-TS001, DIM500GCM33-TL, DIM500GCM33-TS, IHW20N120R2, DIM500GDM33-TS, DIM600DCM17-A, DIM600DDM17-A, DIM600DDS12-A, DIM800DCM12-A, DIM800DCM17-A, DIM800DCS12-A, DIM800DDM12-A
History: DIM400GDM33-F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467




