DIM500GDM33-TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM500GDM33-TL
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 430 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DIM500GDM33-TL
DIM500GDM33-TL Datasheet (PDF)
dim500gdm33-tl.pdf
DIM500GDM33-TL000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6113-1 DS6113-2 January 2014 (LN31251) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated
dim500gdm33-ts.pdf
DIM500GDM33-TS000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS6097-1 DS6097-2 January 2014 (LN31252) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary term
dim500gcm33-tl.pdf
DIM500GCM33-TL000 IGBT Chopper Module Replaces DS6114-1 DS6114-2 January 2014 (LN31264) FEATURES KEY PARAMETERS Low VCE(sat) Device VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.0V 10s Short Circuit Withstand IC (max) 500A High Thermal Cycling Capability IC(PK) (max) 1000A High Current Density Enhanced DMOS SPT * Measured at the auxiliary terminals Isolated AlS
dim500gcm33-ts.pdf
DIM500GCM33-TS000 IGBT Chopper Module Replaces DS6098-1 DS6098-2 January 2014 (LN31263) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 500A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 1000A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminal
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2