DIM800DDM12-A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DIM800DDM12-A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6940 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DIM800DDM12-A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM800DDM12-A даташит

 ..1. Size:390K  dynex
 dim800ddm12-a.pdf pdf_icon

DIM800DDM12-A

DIM800DDM12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5528-3.0 DS5528-4 October 2009 (LN26748) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 800A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK) (

 4.1. Size:393K  dynex
 dim800ddm17-a.pdf pdf_icon

DIM800DDM12-A

DIM800DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5433-4.1 July 2002 DS5433-5 June 2009 (LN26751) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 800A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 I

 6.1. Size:389K  dynex
 dim800dds12-a.pdf pdf_icon

DIM800DDM12-A

DIM800DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5540-2.2 DS5540-3 November 2009 (LN26746) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 800A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK)

 7.1. Size:814K  dynex
 dim800dcs12-a.pdf pdf_icon

DIM800DDM12-A

DIM800DCS12-A000 IGBT Chopper Module DS5839- 1.1 June 2005 (LN24042) KEY PARAMETERS FEATURES VCES 1200V 10 s Short Circuit Withstand VCE (sat)* (typ) 2.2V IC (max) 800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 1600A Isolated Copper Baseplate * (measured at the power busbars and not the auxiliary terminals) Lead Free construction APPLICATIONS Chopper DC Mo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DIM500GDM33-TL, DIM500GDM33-TS, DIM600DCM17-A, DIM600DDM17-A, DIM600DDS12-A, DIM800DCM12-A, DIM800DCM17-A, DIM800DCS12-A, TGPF30N43P, DIM800DDM17-A, DIM800DDS12-A, DIM800ECM33-F, DIM800FSM12-A, DIM800FSM17-A, DIM800FSS12-A, DIM800NSM33-F, DIM800XSM33-F