MG12150D-BA1MM - аналоги и описание IGBT

 

MG12150D-BA1MM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MG12150D-BA1MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 210 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG12150D-BA1MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MG12150D-BA1MM

 ..1. Size:547K  littelfuse
mg12150d-ba1mm.pdfpdf_icon

MG12150D-BA1MM

Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150D-BA1MM Features Ultra low loss Positive temperature coeficient High ruggedness With fast free-wheeling High short circuit diodes capability Applications Inverter SMPS and UPS Converter Induction heating Welder Agency Approvals AGENCY AGENCY FILE NUMBER E71639 Module Characteristics

 7.1. Size:1452K  littelfuse
mg12150w-xn2mm.pdfpdf_icon

MG12150D-BA1MM

Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150W-XN2MM Features High level of integration Free wheeling diodes with fast and soft reverse IGBT3 CHIP(Trench+Field recovery Stop technology) Solderable pins for PCB Low saturation voltage mounting and positive temperature coefficient Temperature sense included Fast switching and short tail curr

 7.2. Size:1343K  littelfuse
mg12150s-bn2mm.pdfpdf_icon

MG12150D-BA1MM

Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150S-BN2MM Features High short circuit Fast switching and short capability, self limiting tail current short circuit current Free wheeling diodes IGBT3 CHIP(Trench+Field with fast and soft reverse Stop technology) recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Applications Ag

 8.1. Size:1806K  littelfuse
mg1215h-xbn2mm.pdfpdf_icon

MG12150D-BA1MM

Power Module 1200V 15A IGBT Module RoHS MG1215H-XBN2MM Features High level of Free wheeling diodes integration only one with fast and soft reverse power semiconductor recovery module required for the Industry standard package whole drive with insulated copper Low saturation voltage base plateand soldering and positive temperature pins for PCB mounting coeff

Другие IGBT... MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM , MG12105S-BA1MM , SGT50T65FD1PT , MG12150S-BN2MM , MG12150W-XN2MM , MG12200D-BA1MM , MG12200D-BN2MM , MG12225WB-BN2MM , MG1225H-XBN2MM , MG1225H-XN2MM , MG12300D-BA1MM .

History: FGA60N65SMD

 

 
Back to Top

 


 
.