MG12150D-BA1MM - Аналоги. Основные параметры
Наименование: MG12150D-BA1MM
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 210 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MG12150D-BA1MM
Технические параметры MG12150D-BA1MM
mg12150d-ba1mm.pdf
Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150D-BA1MM Features Ultra low loss Positive temperature coeficient High ruggedness With fast free-wheeling High short circuit diodes capability Applications Inverter SMPS and UPS Converter Induction heating Welder Agency Approvals AGENCY AGENCY FILE NUMBER E71639 Module Characteristics
mg12150w-xn2mm.pdf
Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150W-XN2MM Features High level of integration Free wheeling diodes with fast and soft reverse IGBT3 CHIP(Trench+Field recovery Stop technology) Solderable pins for PCB Low saturation voltage mounting and positive temperature coefficient Temperature sense included Fast switching and short tail curr
mg12150s-bn2mm.pdf
Power Module 1200V 150A IGBT Module RoHS MG12150S-BN2MM Features High short circuit Fast switching and short capability, self limiting tail current short circuit current Free wheeling diodes IGBT3 CHIP(Trench+Field with fast and soft reverse Stop technology) recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Applications Ag
mg1215h-xbn2mm.pdf
Power Module 1200V 15A IGBT Module RoHS MG1215H-XBN2MM Features High level of Free wheeling diodes integration only one with fast and soft reverse power semiconductor recovery module required for the Industry standard package whole drive with insulated copper Low saturation voltage base plateand soldering and positive temperature pins for PCB mounting coeff
Другие IGBT... MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM , MG12105S-BA1MM , SGT50T65FD1PT , MG12150S-BN2MM , MG12150W-XN2MM , MG12200D-BA1MM , MG12200D-BN2MM , MG12225WB-BN2MM , MG1225H-XBN2MM , MG1225H-XN2MM , MG12300D-BA1MM .
History: FGA60N65SMD
History: FGA60N65SMD
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141





