MG12150D-BA1MM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG12150D-BA1MM
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 210 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1550 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM Datasheet (PDF)
mg12150d-ba1mm.pdf
Power Module1200V 150A IGBT ModuleRoHSMG12150D-BA1MMFeatures Ultra low loss Positive temperature coeficient High ruggedness With fast free-wheeling High short circuit diodescapabilityApplications Inverter SMPS and UPS Converter Induction heating WelderAgency ApprovalsAGENCY AGENCY FILE NUMBERE71639Module Characteristics
mg12150w-xn2mm.pdf
Power Module1200V 150A IGBT ModuleRoHSMG12150W-XN2MM Features High level of integration Free wheeling diodes with fast and soft reverse IGBT3 CHIP(Trench+Field recoveryStop technology) Solderable pins for PCB Low saturation voltage mountingand positive temperature coefficient Temperature sense included Fast switching and short tail curr
mg12150s-bn2mm.pdf
Power Module1200V 150A IGBT ModuleRoHSMG12150S-BN2MMFeatures High short circuit Fast switching and short capability, self limiting tail currentshort circuit current Free wheeling diodes IGBT3 CHIP(Trench+Field with fast and soft reverse Stop technology) recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficientApplicationsAg
mg1215h-xbn2mm.pdf
Power Module1200V 15A IGBT ModuleRoHSMG1215H-XBN2MMFeatures High level of Free wheeling diodes integrationonly one with fast and soft reverse power semiconductor recoverymodule required for the Industry standard package whole drivewith insulated copper Low saturation voltage base plateand soldering and positive temperature pins for PCB mountingcoeff
Другие IGBT... MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM , MG12100S-BN2MM , MG12100W-XN2MM , MG12105S-BA1MM , RJP30E2DPP-M0 , MG12150S-BN2MM , MG12150W-XN2MM , MG12200D-BA1MM , MG12200D-BN2MM , MG12225WB-BN2MM , MG1225H-XBN2MM , MG1225H-XN2MM , MG12300D-BA1MM .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2