Справочник IGBT. MG1275S-BA1MM

 

MG1275S-BA1MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG1275S-BA1MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 630 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 105 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG1275S-BA1MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1852K  littelfuse
mg1275s-ba1mm.pdfpdf_icon

MG1275S-BA1MM

Power Module1200V 75A IGBT ModuleRoHSMG1275S-BA1MM Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness With Fast Free-Wheeling High Short Circuit DiodesCapabilityApplications Inverter SMPS and UPS Converter Induction Heating WelderAgency ApprovalsAGENCY AGENCY FILE NUMBERE71639Module Characteristics

 8.1. Size:1525K  littelfuse
mg1275w-xn2mm.pdfpdf_icon

MG1275S-BA1MM

Power Module1200V 75A IGBT ModuleRoHSMG1275W-XN2MM Features High level of integration Free wheeling diodes with fast and soft reverse IGBT3 CHIP(Trench+Field recoveryStop technology) Solderable pins for PCB Low saturation voltage mountingand positive temperature coefficient Temperature sense included Fast switching and short tail curren

 8.2. Size:1841K  littelfuse
mg1275w-xbn2mm.pdfpdf_icon

MG1275S-BA1MM

Power Module1200V 75A IGBT ModuleRoHSMG1275W-XBN2MM Features High level of Free wheeling diodes integrationonly one with fast and soft reverse power semiconductor recoverymodule required for the Industry standard whole drive package with insulated Low saturation voltage copper base plate and and positive temperature soldering pins for PCB coefficien

 8.3. Size:1726K  littelfuse
mg1275h-xn2mm.pdfpdf_icon

MG1275S-BA1MM

Power Module1200V 75A IGBT ModuleRoHSMG1275H-XN2MMFeatures High level of integration Free wheeling diodes with fast and soft reverse IGBT3 CHIP(Trench+Field recoveryStop technology) Solderable pins for PCB Low saturation voltage mountingand positive temperature coefficient Temperature sense included Fast switching and short tail curren

Другие IGBT... MG12300WB-BN2MM , MG12400D-BN2MM , MG1240H-XBN2MM , MG12450WB-BN2MM , MG1250H-XN2MM , MG1250S-BA1MM , MG1250W-XBN2MM , MG1275H-XN2MM , GT45F122 , MG1275W-XBN2MM , MG1275W-XN2MM , MG150J1BS11 , MG150J2YS50 , MG150J7KS60 , MG150Q2YS40 , MG150Q2YS50 , MG150Q2YS51 .

History: APTGT30DA170D1 | FF200R12KT3 | SGH10N120RUF | STGW20IH125DF | 2MBI225VN-120-50 | IXGH32N100A3 | IRG4PC30FPBF

 

 
Back to Top

 


 
.