MG25Q6ES42 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG25Q6ES42  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG25Q6ES42

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG25Q6ES42 даташит

 ..1. Size:123K  toshiba
 mg25q6es42.pdf pdf_icon

MG25Q6ES42

 6.1. Size:113K  toshiba
 mg25q6es51.pdf pdf_icon

MG25Q6ES42

 6.2. Size:116K  toshiba
 mg25q6es50a.pdf pdf_icon

MG25Q6ES42

 9.1. Size:118K  toshiba
 mg25q2ys40.pdf pdf_icon

MG25Q6ES42

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG200Q1US51, MG200Q2YS40, MG200Q2YS50, MG200Q2YS65H, MG25J6ES40, MG25N2YS1, MG25Q1BS11, MG25Q2YS40, IRG4PC50UD, MG25Q6ES50A, MG25Q6ES51, MG300J2YS40, MG300J2YS50, MG300N1US1, MG300Q1US11, MG300Q2YS40, MG300Q2YS50