IRG4PSC71K
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4PSC71K
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 350
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
85
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.83
V @25℃
|VGEth|ⓘ -
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6
V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 54
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 730
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 340
nC
Тип корпуса:
SUPER247
Аналог (замена) для IRG4PSC71K
IRG4PSC71K
Datasheet (PDF)
..1. Size:280K international rectifier
irg4psc71k.pdf PD - 91683BIRG4PSC71KShort Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORUltraFast IGBTCFeaturesVCES = 600V Hole-less clip/pressure mount package compatiblewith TO-247 and TO-264, with reinforced pinsVCE(on) typ. = 1.83V High abort circuit rating IGBTs, optimized forGmotorcontrol Minimum switching losses combined with low@VGE = 15V, IC = 60AEconduction
0.1. Size:191K international rectifier
irg4psc71kd.pdf PD - 91684AIRG4PSC71KDPRELIMINARY Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures Hole-less clip/pressure mount package compatible VCES = 600Vwith TO-247 and TO-264, with reinforced pins High abort circuit rating IGBTs, optimized forVCE(on) typ. = 1.83VmotorcontrolG Minimum switching losses comb
0.2. Size:446K infineon
irg4psc71kdpbf.pdf PD- 95901IRG4PSC71KDPbF Lead-Freewww.irf.com 109/15/04IRG4PSC71KDPbF2 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 3IRG4PSC71KDPbF4 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 5IRG4PSC71KDPbF6 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 7IRG4PSC71KDPbF8 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 9IRG4PSC71KDPbFCase Outline and Dimensions Super-247Super-247 (TO-
5.1. Size:141K international rectifier
irg4psc71u.pdf PD - 91681AIRG4PSC71UUltraFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C UltraFast switching speed optimized for operatingVCES = 600V frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.67VG parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduct
5.2. Size:248K international rectifier
irg4psc71ud.pdf PD - 91682AIRG4PSC71UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures Generation 4 IGBT design provides tighterVCES = 600V parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) thanVCE(on) typ. = 1.67V prior generationsG IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultrasoft recov
Другие IGBT... IRG4PH40KD
, IRG4PH40U
, IRG4PH40UD
, IRG4PH50K
, IRG4PH50KD
, IRG4PH50S
, IRG4PH50U
, IRG4PH50UD
, SGT60N60FD1P7
, IRG4PSC71KD
, IRG4PSC71U
, IRG4PSC71UD
, IRG4PSH71K
, IRG4PSH71KD
, IRG4RC10K
, IRG4RC10KD
, IRG4RC10S
.