MIG10Q806HA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIG10Q806HA
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIG10Q806HA
MIG10Q806HA Datasheet (PDF)
Другие IGBT... MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , GT30F124 , MIG50Q201H , MITA150H1700TEH , MIXA100PF1200TMH , MIXA100PM650TMI , MIXA150Q1200VA , MIXA150R1200VA , MIXA20WB1200TMI , MIXA225PF1200TSF .
History: YGW75N65F1
History: YGW75N65F1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830