MIXA150R1200VA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIXA150R1200VA
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIXA150R1200VA
MIXA150R1200VA Datasheet (PDF)
mixa150r1200va.pdf
MIXA150R1200VApreliminaryVCES = 1200VXPT IGBT ModuleI= 220AC25VCE(sat) = 1.8VBoost ChopperPart numberMIXA150R1200VABackside: isolated6/7 1/29104/5Features / Advantages: Applications: Package: V1-A-Pack Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter
mixa150w1200teh.pdf
MIXA150W1200TEHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 220 AXPT IGBTVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIXA150W1200TEH16, 17, 1830, 31, 32D1 D3 D5T1 T3 T55 91196 10227 24 2128 25 22NTCE7287329 26 23Pin configuration see outlines.D2 D4 D620T2 T4 T637 114 81233, 34, 35 13, 14, 15Features: Application: Package: Easy paralleling due t
mixa150w1200teh.pdf
MIXA150W1200TEHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 220 AXPT IGBTVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIXA150W1200TEH16, 17, 1830, 31, 32D1 D3 D5T1 T3 T55 91196 10227 24 2128 25 22NTCE7287329 26 23Pin configuration see outlines.D2 D4 D620T2 T4 T637 114 81233, 34, 35 13, 14, 15Features: Application: Package: Easy paralleling due t
mixa150q1200va.pdf
MIXA150Q1200VApreliminaryVCES = 1200 VXPT IGBT ModuleI= 220AC25VCE(sat) = 1.8VBuck ChopperPart numberMIXA150Q1200VABackside: isolated1/29106/74/5Features / Advantages: Applications: Package: V1-A-Pack Easy paralleling due to the positive temperature Switched-mode power supplies Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Swi
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2