MIXA81WB1200TEH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MIXA81WB1200TEH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIXA81WB1200TEH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MIXA81WB1200TEH даташит
mixa81wb1200teh.pdf
MIXA81WB1200TEH tentative 3 Brake 3 XPT IGBT Module Rectifier Chopper Inverter VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAV = 290 A IC25 = 90 A IC25 = 120 A IFSM = 1200 A VCE(sat)= 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V 6-Pack + 3 Rectifier Bridge & Brake Unit + NTC Part number MIXA81WB1200TEH Backside isolated 30/31/32 26/27 17 7 10 13 1/2 3/4 5/6 28/29 8/9 11/12 14/15 22 20 23 18 1
mixa81h1200eh.pdf
MIXA81H1200EH IGBT Module VCES = 1200 V IC25 = 120 A H Bridge VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIXA81H1200EH 13, 21 1 9 2 10 19 E72873 15 3 11 4 12 14, 20 Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E3-Pack" standard outline temperature coefficient of the on-state Solar inverter Insulated copper base
mixa80wb1200teh.pdf
MIXA80WB1200TEH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM = 265 A IC25 = 60 A IC25 = 120 A XPT IGBT IFSM = 1100 A VCE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIXA80WB1200TEH 21 22 D7 D11 D13 D15 D1 D5 D3 18 16 20 T1 T5 T3 NTC 8 7 15 17 19 1 2 3 4 6 5 E
mixa80r1200va.pdf
MIXA 80R1200VA Boost / Brake Module VCES = 1200 V IC25 = 120 A XPT IGBT VCE(sat) = 2.2 V Part name (Marking on product) MIXA80R1200VA 6/7 1/2 5 4 Preliminary data 2 1 9 10 10 9 7 6 4/5 Features Application Package Isolation voltage 3600 V Power Factor Correction DCB ceramic base plate Planar passivated chips Boost Converter Easy to mount with 2
Другие IGBT... MIXA450PF1200TSF , MIXA50PM650TMI , MIXA50WB600TED , MIXA600AF650TSF , MIXA600CF650TSF , MIXA600PF650TSF , MIXA60HU1200VA , MIXA60WH1200TEH , BT40T60ANF , MIXD200W650TEH , MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 .
History: MIXA600PF650TSF | IKFW50N60ET
History: MIXA600PF650TSF | IKFW50N60ET
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b






