IRG4PSH71KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4PSH71KD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.97 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 84 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 410 nC
Тип корпуса: SUPER247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRG4PSH71KD Datasheet (PDF)
irg4psh71kd.pdf

PD - 91688AIRG4PSH71KDPRELIMINARY Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures Hole-less clip/pressure mount package compatible VCES = 1200Vwith TO-247 and TO-264, with reinforced pins High short circuit rating IGBTs, optimized forVCE(on) typ. = 2.97VmotorcontrolG Minimum switching losses com
irg4psh71k.pdf

PD - 91687AIRG4PSH71KPRELIMINARYShort Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORUltraFast IGBTCFeaturesVCES = 1200V Hole-less clip/pressure mount package compatiblewith TO-247 and TO-264, with reinforced pinsVCE(on) typ. = 2.97V High short circuit rating IGBTs, optimized forGmotorcontrol Minimum switching losses combined with low@VGE = 15V, IC = 42A
irg4psh71ud.pdf

PD - 91686IRG4PSH71UDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast Copack IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHzVCES = 1200V in resonant mode soft switching Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.52VG parameter distribution and higher effi
irg4psh71u.pdf

PD - 91685IRG4PSH71UUltraFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C UltraFast switching speed optimized for operatingVCES = 1200V frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.50VG parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduct
Другие IGBT... IRG4PH50S , IRG4PH50U , IRG4PH50UD , IRG4PSC71K , IRG4PSC71KD , IRG4PSC71U , IRG4PSC71UD , IRG4PSH71K , TGAN60N60F2DS , IRG4RC10K , IRG4RC10KD , IRG4RC10S , IRG4RC10SD , IRG4RC10U , IRG4RC10UD , IRG4ZC70UD , IRG4ZC71KD .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement