IRG4ZH70UD - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IRG4ZH70UD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.23 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 420 pF
Тип корпуса: SMD10
Аналог (замена) для IRG4ZH70UD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IRG4ZH70UD даташит
irg4zh70ud.pdf
PD - 9.1627A IRG4ZH70UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Surface Mountable ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features C n-channel UltraFast IGBT optimized for high switching frequencies VCES = 1200V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-soft recovery antiparallel diodes for use in bridge configurations VCE(ON)typ = 2.23V Low Gate Charge G
irg4zh71kd.pdf
PD - 91729 PRELIMINARY IRG4ZH71KD Surface Mountable INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit Rated ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBT Features High short circuit rating optimized for motor C n-channel control, tsc =10 s, VCC = 720V , TJ = 125 C, VCES = 1200V VGE = 15V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, VCE(ON)typ = 2.89V ultra-soft-
irg4zh50kd.pdf
PD - 9.1680 IRG4ZH50KD Surface Mountable Short INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Circuit Rated UltraFast IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C n-channel High short circuit rating optimized for motor control, tsc = 10 s, VCES = 1200V VCC = 720V, TJ = 125 C, VGE = 15V IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft VCE(ON)typ = 2.79V recovery antiparallel dio
irg4zc70ud.pdf
PD -9.1668A IRG4ZC70UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Surface Mountable ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features C n-channel UltraFast IGBT optimized for high switching frequencies VCES = 600V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-soft recovery antiparallel diodes for use in bridge configurations VCE(ON)typ = 1.5V Low gate charge G Low
Другие IGBT... IRG4RC10KD , IRG4RC10S , IRG4RC10SD , IRG4RC10U , IRG4RC10UD , IRG4ZC70UD , IRG4ZC71KD , IRG4ZH50KD , SGT60U65FD1PT , IRG4ZH71KD , IRGBC20S , IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , IXDA20N120AS , IXDH20N120 .
History: IXDH30N120AU1 | MUBW35-12E7 | IXGH50N60AS | IXGH12N100A | IXGT32N60B
History: IXDH30N120AU1 | MUBW35-12E7 | IXGH50N60AS | IXGH12N100A | IXGT32N60B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet





