MMG200D120UK6TN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MMG200D120UK6TN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1050 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1900 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMG200D120UK6TN
MMG200D120UK6TN Datasheet (PDF)
mmg200d120uk6tn.pdf

MMG200D120UK6TN1200V 200A IGBT ModuleApril 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) High short circuit capability,self limiting short circuit current VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching losses
mmg200d120ua6tc.pdf

MMG200D120UA6TC1200V 200A IGBT ModuleJuly 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient High short circuit capability Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching lossesAPPLICATIONS High frequency switc
mmg200d120ua6tn.pdf

MMG200D120UA6TN1200V 200A IGBT ModuleApril 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) High short circuit capability,self limiting short circuit current VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching losses
Другие IGBT... MMG15CB120X6TC , MMG15CB120XB6TC , MMG15CB120XB6TN , MMG200B065PD6EN , MMG200D120B6TC , MMG200D120B6UC , MMG200D120UA6TC , MMG200D120UA6TN , GT30F131 , MMG200D170B , MMG200D170B6TC , MMG200Q120B6TC , MMG200Q120UA6TC , MMG200S060B6TC , MMG200S060DE6EN , MMG200W060X6EN , MMG25CE120XB6TC .
History: IXYP10N65C3D1
History: IXYP10N65C3D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet