SGT60T65FD1PS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGT60T65FD1PS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 190 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGT60T65FD1PS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT60T65FD1PS даташит

 ..1. Size:558K  1
 sgt60t65fd1pn sgt60t65fd1p7 sgt60t65fd1ps sgt60t65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PS

SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A 650V C 2 SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1 G Stop UPS SMPS PFC 1 3 2 3 TO-3P E 60A 650V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

 9.1. Size:281K  1
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PS

Silan Microelectronics SGT60U65FD1PN(PT)(P7)_Datasheet 60A, 650V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION C 2 The SGT60U65FD1PN(PT)(P7) field stop IGBT adopts Silan Field Stop 1 IV+ technology, features low conduction loss and switching loss, is G applicable to UPS, SMPS and PFC fields. FEATURES 3 E 60A, 650V, VCE(sat)(typ.)=2.0V@IC=60A Low conduction loss Fast switchin

 9.2. Size:319K  silan
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt sgt60u65fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PS

 9.3. Size:326K  silan
 sgt60n60fd1pn sgt60n60fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PS

SGT60N60FD1PN/P7 60A 600V C 2 SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FGH50T65SQD, NCE15TD60BD, NCE15TD60B, NCE15TD60BF, NCE80TD65BP, NCE80TD65BT, SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, IXRH40N120, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, GPK200HF120D2, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, GPU200HF120D2, GPU50HF120D1, GPU75HF120D1