IXDN55N120D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXDN55N120D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXDN55N120D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXDN55N120D1 даташит

 ..1. Size:72K  ixys
 ixdn55n120 ixdn55n120d1.pdf pdf_icon

IXDN55N120D1

IXDN 55N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXDN 55N120 D1 IC25 = 100 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.3 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA C C miniBLOC, SOT-227 B E153432 E G G G E E IXDN 55N120 IXDN 55N120 D1 E C E = Emitter , C = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings G = Gate, E = Emitter VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V Either Emitter terminal ca

 ..2. Size:78K  ixys
 ixdn55n120d1.pdf pdf_icon

IXDN55N120D1

 9.1. Size:137K  ixys
 ixdn50n120au1.pdf pdf_icon

IXDN55N120D1

Другие IGBT... IXDA20N120AS, IXDH20N120, IXDH20N120D1, IXDH30N120, IXDH30N120AU1, IXDH30N120D1, IXDN50N120AU1, IXDN55N120, TGPF30N43P, IXDN75N120, IXDT30N120, IXDT30N120AU1, IXDT30N120D1, IXGA12N100, IXGA12N100A, IXGA12N100AU1, IXGA12N100U1