IXDT30N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXDT30N120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXDT30N120
IXDT30N120 Datasheet (PDF)
ixdh30n120 ixdt30n120 ixdh30n120d1 ixdt30n120d1.pdf
IXDH 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXDH 30N120 D1IC25 = 60 Awith optional DiodeIXDT 30N120VCE(sat) typ = 2.4 VIXDT 30N120 D1Short Circuit SOA CapabilityC CSquare RBSOATO-247 AD (IXDH)G GE EGCC (TAB)IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1EIXDT 30N120 IXDT 30N120 D1TO--268 AA (IXDT)Symbol Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VEC (T
ixdh30n120au1 ixdt30n120au1.pdf
High Voltage IGBTIXDH 30N120AU1 VCES = 1200 VIXDT 30N120AU1 IC25 = 50 Awith DiodeVCE(sat) typ = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXDH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 AA (IXDT)IC25 TC = 25C5
Другие IGBT... IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 , FGL60N100BNTD , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , IXGA12N100 , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C , IXGA12N60CD1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2