RCD1565SL1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RCD1565SL1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 105
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 35
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 61
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для RCD1565SL1
RCD1565SL1 Datasheet (PDF)
..1. Size:841K cn realchip
rcf1565sl1 rcp1565sl1 rcb1565sl1 rcd1565sl1.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
rcf1565sl1 rcp1565sl1 rcb1565sl1 rcd1565sl1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IGBT RCF(P/B/D)1565SL1RCF1565SL1RCP1565SL1RCB1565SL1RCD1565SL1 15A650V IGBT UPSPFC: 15A 650V , V =1.8V @I =15A CE(sat) C :
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![RCD1565SL1](https://alltransistors.com/images/us.png)
![RCD1565SL1](https://alltransistors.com/images/es.png)
![RCD1565SL1](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ