Справочник IGBT. IXGA12N100

 

IXGA12N100 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA12N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 65 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXGA12N100

 

 

IXGA12N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  ixys
 ixga12n100 ixgp12n100 ixga12n100a ixgp12n100a.pdf

IXGA12N100 IXGA12N100

VCES IC25 VCE(sat)IGBTIXGA/IXGP12N100 1000 V 24 A 3.5 VIXGA/IXGP12N100A 1000 V 24 A 4.0 VPreliminary Data SheetTO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 ATO-263 (IXGA)IC90 TC = 90C12 AICM TC = 25C, 1 ms 48 A

 0.1. Size:116K  ixys
 ixga12n100u1 ixgp12n100u1 ixga12n100au1 ixgp12n100au1.pdf

IXGA12N100 IXGA12N100

VCES IC25 VCE(sat)IGBTIXGA/IXGP12N100U1 1000 V 24 A 3.5 VCombi PackIXGA/IXGP12N100AU1 1000 V 24 A 4.0 VPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB(IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VGCEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-263 AA (IXGA)IC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 AICM TC =

 6.1. Size:201K  ixys
 ixga12n120a3 ixgp12n120a3 ixgh12n120a3.pdf

IXGA12N100 IXGA12N100

GenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGA12N120A3IGBTs IC90 = 12AIXGP12N120A3 VCE(sat) 3.0V IXGH12N120A3High Surge CurrentTO-263 AA (IXGA)Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingGSD (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VG

 6.2. Size:578K  ixys
 ixga12n120a2 ixgp12n120a2.pdf

IXGA12N100 IXGA12N100

IXGA 12N120A2VCES = 1200 VIGBTIXGP 12N120A2IC25 = 24 AOptimized forVCE(sat) = 3.0 Vswitching up to 5KHzPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 AICM TC = 25C, 1

Другие IGBT... IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 , MBQ40T65FDSC , IXGA12N100A , IXGA12N100AU1 , IXGA12N100U1 , IXGA12N60C , IXGA12N60CD1 , IXGA15N100C , IXGA15N120B , IXGA15N120C .

 

 
Back to Top