Справочник IGBT. 2SH14

 

2SH14 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2SH14
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH14

 

 

2SH14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  hitachi
 2sh14.pdf

2SH14 2SH14

ADE208287 (Z)2SH14Silicon N-Channel IGBT1st. EditonFeb. 1995ApplicationTO3PHigh speed power switchingFeatures2 High speed switching Low on saturation voltage11. Gate2. Collector132 3. Emitter3Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings Unit

Другие IGBT... 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , IKW50N60T , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 .

 

 
Back to Top