2SH14 - аналоги и описание IGBT

 

2SH14 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2SH14

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH14

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2SH14 даташит

 ..1. Size:46K  hitachi
2sh14.pdfpdf_icon

2SH14

Другие IGBT... 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , IKW30N60H3 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.