Справочник IGBT. MSG20T65FQC

 

MSG20T65FQC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG20T65FQC
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 43.9 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MSG20T65FQC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8407K  cn maspower
 msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqe msg20t65fqc.pdf pdf_icon

MSG20T65FQC

MSG20T65FQS/TMSG20T65FQE/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG20T MSG20T65FQT/ MSG20Parameter Symbol Unit65FQS MSG20T65FQE T65FQCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Col

 ..2. Size:8342K  cn maspower
 msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqc.pdf pdf_icon

MSG20T65FQC

MSG20T65FQS/T/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG2 MSG2 MSG2Parameter Symbol 0T65F 0T65F 0T65F UnitQS QT QCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continu

 5.1. Size:2991K  cn maspower
 msg20t65fle.pdf pdf_icon

MSG20T65FQC

MSG20T65FLE650V Field stop Trench IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 1.6V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 650CESVGate-emitter voltage V 30G

 6.1. Size:6593K  cn maspower
 msg20t65hpc0 msg20t65hpe0 msg20t65hpt1.pdf pdf_icon

MSG20T65FQC

MSG20T65HPC0/E0/T1Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SG50N06D3S | SRE40N065FSUR

 

 
Back to Top

 


 
.