MSG30T65FS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG30T65FS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MSG30T65FS
MSG30T65FS Datasheet (PDF)
msg30t65ft msg30t65fs.pdf
MSG30T65FT/FSFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
msg30t65ft msg30t65fs msg30t65fc.pdf
MSG30T65FT/S/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cu
msg30t65flt.pdf
MSG30T65FLTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Curre
msg30t65fhs msg30t65fht.pdf
MSG30T65FHS/TFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
msg30d120flb.pdf
MSG30D120FLBFeatures High Gate Charge Trench FS Technology Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.5V @ IC = 30 A RoHS ComplaintApplications General Purpose inverters upsAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 1200CESVGate to Emitter Voltage V 20GEST =25 60CCollector Current ICT =100 30 A
Другие IGBT... MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MSG160T65HLC1 , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MBQ60T65PES , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW , MSG75T120FQC1 , MSG75T120FQW , MSG75T65FQC , CRG25T120BK3S , CRG40T120AK3S .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2