CRGMF75T120FSC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CRGMF75T120FSC  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 314 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 110 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CRGMF75T120FSC

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRGMF75T120FSC даташит

 ..1. Size:526K  crhj
crgmf75t120fsc.pdfpdf_icon

CRGMF75T120FSC

 9.1. Size:524K  crhj
crgmf50t120fsc.pdfpdf_icon

CRGMF75T120FSC

 9.2. Size:811K  crhj
crgmf100t120fsa3.pdfpdf_icon

CRGMF75T120FSC

Другие IGBT... CRG40T65AN5H, CRG40T65AK5HD, CRG40T65AN5HD, CRG60T60AK3HD, CRG75T60AK3HD, CRG75T65AK5HD, CRGMF100T120FSA3, CRGMF50T120FSC, G50T65D, SPD15N65T1, SPT10N120T1, SPT15N120F1, SPT15N120T1, SPT15N65T1, SPT20N120F1, SPT25N120F1A1, SPT25N120T1