Справочник IGBT. SPT15N120T1

 

SPT15N120T1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT15N120T1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 137 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT15N120T1

 

 

SPT15N120T1 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .