SPT25N120F1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SPT25N120F1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SPT25N120F1 Datasheet (PDF)
spt25n120f1.pdf

SPT25N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable
spt25n120f1a1t8tl.pdf

SPT25N120F1A1T8TL1200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V forV 1200 V CEimproved reliabilityI 25 A C Trench-Stop Technology offering : High speed switchingV I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low VCEsat Easy parallel switching capability dueto positive temperature coefficient inVCEsat En
spt25n120f1a1.pdf

SPT25N120F1A11200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V forV 1200 V CEimproved reliabilityI 25 A C Trench-Stop Technology offering : High speed switchingV I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low VCEsat Easy parallel switching capability dueto positive temperature coefficient inVCEsat Enhanc
spt25n120u1t8tl.pdf

SPT25N120U1T8TL1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 25 A Cimproved reliabilityV I =25A 2.05 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability duet
Другие IGBT... SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL , SPF15N65T1T1TL , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , SGP30N60 , SPT25N120F1A1T8TL , SPT25N120T1T8TL , SPT25N120U1T8TL , SPT25N135F1AT8TL , SPT40N120F1A1T8TL , SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL .
History: IXGR40N60B2D1
History: IXGR40N60B2D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350