SPT25N120F1 - аналоги и описание IGBT

 

SPT25N120F1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPT25N120F1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT25N120F1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT25N120F1 даташит

 ..1. Size:5495K  cn sps
 spt25n120f1.pdf pdf_icon

SPT25N120F1

SPT25N120F1 1200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 20 A C improved reliability V I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

 0.1. Size:4778K  cn sps
 spt25n120f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT25N120F1

SPT25N120F1A1T8TL 1200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V for V 1200 V CE improved reliability I 25 A C Trench-Stop Technology offering High speed switching V I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat En

 0.2. Size:1545K  cn sptech
 spt25n120f1a1.pdf pdf_icon

SPT25N120F1

SPT25N120F1A1 1200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V for V 1200 V CE improved reliability I 25 A C Trench-Stop Technology offering High speed switching V I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat Enhanc

 5.1. Size:5254K  cn sps
 spt25n120u1t8tl.pdf pdf_icon

SPT25N120F1

SPT25N120U1T8TL 1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 25 A C improved reliability V I =25A 2.05 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10 s Low V CEsat Easy parallel switching capability due t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL , SPF15N65T1T1TL , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , RJH60F7BDPQ-A0 , SPT25N120F1A1T8TL , SPT25N120T1T8TL , SPT25N120U1T8TL , SPT25N135F1AT8TL , SPT40N120F1A1T8TL , SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL .

History: TA49021 | TGAN40N135FD | XD075H065CX1S3 | SPT25N120T1T8TL | SRE100N065FSU2D6 | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.