Справочник IGBT. XD025H120CX1

 

XD025H120CX1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XD025H120CX1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 365 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 162 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XD025H120CX1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  cn xdm
 xd025h120cx1.pdf pdf_icon

XD025H120CX1

XD025H120CX1 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives Absolute Maximum Ratings

 0.1. Size:721K  cn xdm
 xd025h120cx1s3.pdf pdf_icon

XD025H120CX1

XD025H120CX1S3 Trench Field-Stop Technology IGBT Features 1200V, 25A V =2.00V@V =15V, I =25A CE(sat)(typ.) GE C Low Switching Losses V with Positive Temperature Coefficient CE(sat) Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant Applications Frequency Converters Uninterrupted Power Supply Air Conditioning Motor Drives T Marking Package Ord

Другие IGBT... SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 , MBQ50T65FESC , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 .

History: FGHL40T65MQD | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC

 

 
Back to Top

 


 
.