XP015PJS120CL1B1 - аналоги и описание IGBT

 

XP015PJS120CL1B1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP015PJS120CL1B1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP015PJS120CL1B1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP015PJS120CL1B1 даташит

 0.1. Size:697K  cn xdm
 xp015pjs120cl1b1.pdf pdf_icon

XP015PJS120CL1B1

XP015PJS120CL1B1 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS) IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions

 7.1. Size:807K  cn xdm
 xp015pje120at1b1.pdf pdf_icon

XP015PJS120CL1B1

XP015PJE120AT1B1 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Trench+ Field Stop Technology 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching Losses Applications Frequency Coverters Motor Drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit

Другие IGBT... XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , IXRH40N120 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 .

History: STGW75H65DFB2-4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.