Справочник IGBT. XP075HFN120CT1R3

 

XP075HFN120CT1R3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP075HFN120CT1R3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.06 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP075HFN120CT1R3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP075HFN120CT1R3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:395K  cn xdm
 xp075hfn120ct1r3.pdf pdf_icon

XP075HFN120CT1R3

XP075HFN120CT1R334mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery DiodeFeatures Low Switching Losses Low VCEsatLow VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Motor DrivesUPS SystemsHigh Power ConvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-E

 9.1. Size:801K  cn xdm
 xp075pce120al1e3.pdf pdf_icon

XP075HFN120CT1R3

XP075PCE120AL1E3PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Servo DrivesMedical ApplicationsMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description

Другие IGBT... XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , MBQ50T65FESC , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD .

History: SKM100GAL12T4 | SG7N06P | XP015PJS120CL1B1 | IXBT20N300HV | YGP15N65T2 | IXCK36N250 | OST75N65HLMF

 

 
Back to Top

 


 
.