XP075PCE120AL1E3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XP075PCE120AL1E3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
XP075PCE120AL1E3 Datasheet (PDF)
xp075pce120al1e3.pdf

XP075PCE120AL1E3PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Servo DrivesMedical ApplicationsMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description
xp075hfn120ct1r3.pdf

XP075HFN120CT1R334mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery DiodeFeatures Low Switching Losses Low VCEsatLow VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Motor DrivesUPS SystemsHigh Power ConvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-E
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGP10NB60S
History: STGP10NB60S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m