XP075PCE120AL1E3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: XP075PCE120AL1E3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для XP075PCE120AL1E3
XP075PCE120AL1E3 Datasheet (PDF)
xp075pce120al1e3.pdf
XP075PCE120AL1E3PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Servo DrivesMedical ApplicationsMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description
xp075hfn120ct1r3.pdf
XP075HFN120CT1R334mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery DiodeFeatures Low Switching Losses Low VCEsatLow VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Motor DrivesUPS SystemsHigh Power ConvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-E
Другие IGBT... XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , HGTG30N60A4 , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2