Справочник IGBT. XP075PCE120AL1E3

 

XP075PCE120AL1E3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP075PCE120AL1E3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8(typ) V
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для XP075PCE120AL1E3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP075PCE120AL1E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:801K  cn xdm
 xp075pce120al1e3.pdf pdf_icon

XP075PCE120AL1E3

XP075PCE120AL1E3PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Servo DrivesMedical ApplicationsMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description

 9.1. Size:395K  cn xdm
 xp075hfn120ct1r3.pdf pdf_icon

XP075PCE120AL1E3

XP075HFN120CT1R334mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery DiodeFeatures Low Switching Losses Low VCEsatLow VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Motor DrivesUPS SystemsHigh Power ConvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values UnitVCES Collector-E

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.