XP075PCE120AL1E3 - аналоги и описание IGBT

 

XP075PCE120AL1E3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: XP075PCE120AL1E3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для XP075PCE120AL1E3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

XP075PCE120AL1E3 даташит

 0.1. Size:801K  cn xdm
 xp075pce120al1e3.pdf pdf_icon

XP075PCE120AL1E3

XP075PCE120AL1E3 PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTC Features Low Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Servo Drives Medical Applications Motor Drives Auxiliary Inverters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description

 9.1. Size:395K  cn xdm
 xp075hfn120ct1r3.pdf pdf_icon

XP075PCE120AL1E3

XP075HFN120CT1R3 34mm module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Fast Recovery Diode Features Low Switching Losses Low VCEsat Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Motor Drives UPS Systems High Power Converters Equivalent Circuit Schematic IGBT - Inverter Maximum Rated Values Symbol Description Conditions Values Unit VCES Collector-E

Другие IGBT... XD075H065CX1S3 , XP015PJE120AT1B1 , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , TGAN40N60FD , XP15PJS120CL1B1 , XP25PJT120C0B2 , SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.