Справочник IGBT. SGM50HF12A1TFD

 

SGM50HF12A1TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGM50HF12A1TFD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(80C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 378 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGM50HF12A1TFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  silan
 sgm50hf12a1tfd.pdf pdf_icon

SGM50HF12A1TFD

SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)

 0.1. Size:640K  silan
 sgm50hf12a1tfdt4.pdf pdf_icon

SGM50HF12A1TFD

SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC

 9.1. Size:1248K  silan
 sgm50pa12a6btfd.pdf pdf_icon

SGM50HF12A1TFD

SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC

Другие IGBT... SGM100HF12A1TFD , SGM100HF12A1TFDT4 , SGM100HF12A3TFD , SGM150HF12A3TFD , SGM200HF12A3TFD , SGM25PA12A8TFD , SGM35PA12A6BTFD , SGM40HF12A1TFD , RJP63K2DPP-M0 , SGM50HF12A1TFDT4 , SGM50PA12A6BTFD , SGM75HF12A1TFD , SGM75HF12A1TFD1 , SGM75HF12A1TFDT4 , SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 .

 

 
Back to Top

 


 
.