SGM50HF12A1TFD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGM50HF12A1TFD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50(80C) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SGM50HF12A1TFD
SGM50HF12A1TFD Datasheet (PDF)
sgm50hf12a1tfd.pdf
SGM50HF12A1TFD 50A, 1200V IGBT SGM50HF12A1TFD , 20KHz 50A1200VVCE(sat)( ) =1.7V@IC=50A VCE(sat)
sgm50hf12a1tfdt4.pdf
SGM50HF12A1TFDT4 50A1200V IGBT SGM50HF12A1TFDT4 50A1200VVCE(sat)( ) =2.0V@IC=50A VCE(sat) A1 DBC
sgm50pa12a6btfd.pdf
SGM50PA12A6BTFD 50A/1200V IGBT SGM50PA12A6BTFD 50A/1200VVCE(sat)( ) =2.2V@IC=50A VCE(sat) A6B DBC
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IRG4BC20S | F3L300R12ME4_B23 | IRG4BC40U | FGW25N120VD | SG50N06D3S | IGC99T120T8RM | MMG600WB170B
History: IRG4BC20S | F3L300R12ME4_B23 | IRG4BC40U | FGW25N120VD | SG50N06D3S | IGC99T120T8RM | MMG600WB170B
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet