Справочник IGBT. SGT40N60FD2P7

 

SGT40N60FD2P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT40N60FD2P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 40N60FD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 88 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGT40N60FD2P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT40N60FD2P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  silan
 sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7 sgt40n60fd2pt.pdf pdf_icon

SGT40N60FD2P7

SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 40A, 600V C2 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 112G3 Field Stop III TO-247-3L SMPS UPS

 ..2. Size:362K  silan
 sgt40n60fd2pn sgt40n60fd2p7.pdf pdf_icon

SGT40N60FD2P7

SGT40N60FD2PN(P7) 40A, 600V SGT40N60FD2PN(P7) Field Stop III UPSSMPS PFC 40A, 600V, VCE(sat) =1.

 4.1. Size:260K  silan
 sgt40n60fd1p7.pdf pdf_icon

SGT40N60FD2P7

SGT40N60FD1P7 40A, 600V C 2SGT40N60FD1P7 1G UPSSMPS PFC 3E 40A, 600V, VCE(sat) =1.8V@IC=40A

 5.1. Size:273K  silan
 sgt40n60f2p7.pdf pdf_icon

SGT40N60FD2P7

SGT40N60F2P7 40A, 600V C2SGT40N60F2P7 1Field Stop IIG UPSSMPS PFC 3E 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.