YGP20N65T2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: YGP20N65T2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 40
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 45
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для YGP20N65T2
YGP20N65T2 Datasheet (PDF)
ygf20n65t2 ygk20n65t2 ygp20n65t2 ygw20n65t2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGF20N65T2,YGK20N65T2YGP20N65T2,YGW20N65T2 650V /20A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 20 A C Short Circuit Rated V I =20A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.65V (Typ.) @ I = 20A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms App
Другие IGBT... AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , SGT50T65FD1PN , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 .
![YGP20N65T2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![YGP20N65T2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![YGP20N65T2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ