Справочник IGBT. YGP20N65T2

 

YGP20N65T2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGP20N65T2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

YGP20N65T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  cn luxin semi
 ygf20n65t2 ygk20n65t2 ygp20n65t2 ygw20n65t2.pdf pdf_icon

YGP20N65T2

YGF20N65T2,YGK20N65T2YGP20N65T2,YGW20N65T2 650V /20A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 20 A C Short Circuit Rated V I =20A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.65V (Typ.) @ I = 20A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms App

Другие IGBT... AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A , LGM400HF65S4T1A , YGF15N65T2 , YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , GT30J127 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 .

History: IRGIB7B60KD | MM25G3T120B | APT20GF120BRG | BG150B12LY2-I | OST160N65H5MF | IRGI4086 | NGTB30N120IHL

 

 
Back to Top

 


 
.