YGW25N120U2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: YGW25N120U2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 210
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 40
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 70
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для YGW25N120U2
YGW25N120U2 Datasheet (PDF)
ygw25n120u2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW25N120U2 1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 25 A Cimproved reliability V I =25A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low V CEsat Easy parallel switching capability du
ygw25n120f1a1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW25N120F1A1 1200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V for V 1200 V CEimproved reliability I 25 A C Trench-Stop Technology offering : High speed switching V I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat
ygw25n120t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW25N120T1 1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 25 A Cimproved reliability V I =25A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s Low V CE(SAT) Easy parall
ygw25n135f1a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW25N135F1A 1350V /25A Trench Field Stop IGBT Lu-semi Field Stop Trench IGBTs offer low V 1350 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 25 A Chigh avalanche ruggedness for soft switching applications such as inductive heating, V I =25A 2.0 V CE(SAT) Cmicrowave oven, etc. FEATURES High breakdown voltage to 1350V for improved reliability Trench-S
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![YGW25N120U2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![YGW25N120U2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![YGW25N120U2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ