Справочник IGBT. YGW75N65FP

 

YGW75N65FP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW75N65FP
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для YGW75N65FP

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGW75N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  cn luxin semi
ygw75n65fp.pdfpdf_icon

YGW75N65FP

YGW75N65FP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.8 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 5.1. Size:422K  cn luxin semi
ygw75n65f1.pdfpdf_icon

YGW75N65FP

YGW75N65F1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 6.1. Size:253K  cn luxin semi
ygw75n65hp.pdfpdf_icon

YGW75N65FP

Preliminary YGW75N65HP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching c

 6.2. Size:422K  cn luxin semi
ygw75n65t1.pdfpdf_icon

YGW75N65FP

YGW75N65T1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRG7PG35U | IXGP12N100U1 | IKFW60N60DH3E | IXBT12N300HV | OST50N65HXF | OST40N120HEMF | MIO1200-33E10

 

 
Back to Top

 


 
.