Справочник IGBT. YGW75N65FP

 

YGW75N65FP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW75N65FP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW75N65FP

 

 

YGW75N65FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  cn luxin semi
 ygw75n65fp.pdf

YGW75N65FP YGW75N65FP

YGW75N65FP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.8 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 5.1. Size:422K  cn luxin semi
 ygw75n65f1.pdf

YGW75N65FP YGW75N65FP

YGW75N65F1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 6.1. Size:253K  cn luxin semi
 ygw75n65hp.pdf

YGW75N65FP YGW75N65FP

Preliminary YGW75N65HP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching c

 6.2. Size:422K  cn luxin semi
 ygw75n65t1.pdf

YGW75N65FP YGW75N65FP

YGW75N65T1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

Другие IGBT... YGW40N65F1A1 , YGW40N65F1A2 , YGW50N120FP , YGW50N65F1A , YGW50N65T1 , YGW60N65F1A2 , YGW60N65T1 , YGW75N65F1 , TGD30N40P , YGW75N65HP , YGW75N65T1 , NCE07T60BI , NCE07TD60BF , NCE07TD60BD , NCE07TD60B , NCE07TD60BI , NCE07TD60BK .

 

 
Back to Top