Справочник IGBT. NCE30TD60BD

 

NCE30TD60BD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE30TD60BD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 132 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NCE30TD60BD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE30TD60BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  ncepower
 nce30td60bd.pdf pdf_icon

NCE30TD60BD

PbFreeProduct NCE30TD60BD 600V, 30A, Trench FS II Fast IGBT General Description: Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE sat High speed

 4.1. Size:1027K  ncepower
 nce30td60bp.pdf pdf_icon

NCE30TD60BD

Pb Free ProductNCE30TD60BP600V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching

 4.2. Size:742K  ncepower
 nce30td60bp nce30td60bt.pdf pdf_icon

NCE30TD60BD

PbFreeProduct NCE30TD60BP,NCE30TD60BT 600V, 30A, Trench FS II Fast IGBT General Description: Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FSIIIGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE sat H

 4.3. Size:1232K  ncepower
 nce30td60b.pdf pdf_icon

NCE30TD60BD

Pb Free ProductNCE30TD60B600V, 30A, Trench FS II Fast IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) secondgeneration technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superior conduction andswitching performances, and easy parallel operation;Features Trench FSII Technology offering Very low VCE(sat) High speed switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE20TH60BP , NCE25GD135T , NCE25TD120BT , NCE25TD120LT , NCE25TD135LT , NCE30TD120UT , NCE30TD60B , NCE30TD60BF , RJH60F7BDPQ-A0 , NCE30TD60BP , NCE30TD60BT , NCE30TH60BP , NCE40TD120BT , NCE40TD120VT , NCE40TD120VTP , NCE40TD120WT , NCE40TD60BP .

History: MUBW30-12A6K

 

 
Back to Top

 


 
.