STGB19NC60KDT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB19NC60KDT4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GB19NC60KD
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 127 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
Тип корпуса: D2PAK
- подбор IGBT транзистора по параметрам
STGB19NC60KDT4 Datasheet (PDF)
stgb19nc60kdt4 stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Datasheet - production data Features TAB Low on voltage drop (V ) CE(sat) Low C / C ratio (no cross-conduction RES IES31susceptibility) D2 PAK3 Short-circuit withstand time 10 s 21 IGBT co-packaged with ultrafast free-TO-220FPTABwheeling diode Applications
stgb19nc60kd stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDSTGF19NC60KD - STGP19NC60KD20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)33 Short circuit withstand time 10 s 121 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling D2PAKTO-220diodeApplications321 High frequency invertersTO-220FP Mot
stgb19nc60kd stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDSTGF19NC60KD - STGP19NC60KD20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)33 Short circuit withstand time 10 s 121 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling D2PAKTO-220diodeApplications321 High frequency invertersTO-220FP Mot
stgb19nc60k.pdf

STGB19NC60KSTGP19NC60K20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) Short circuit withstand time 10 s33 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling 121diodeD2PAKTO-220Applications High frequency inverters Motor driversDescriptionFigure 1.
Другие IGBT... NCE80TD60BP , NCE80TD60BT , STGB10M65DF2 , STGB10NC60KDT4 , STGD10NC60KDT4 , STGB14NC60KDT4 , STGB15M65DF2 , STGB19NC60HDT4 , RJP63K2DPP-M0 , STGB20H65DFB2 , STGB20M65DF2 , STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD .
History: SKM50GH063DL | AOD5B65M1H | 2MBI200TA-060 | APTGT150DA120D3
History: SKM50GH063DL | AOD5B65M1H | 2MBI200TA-060 | APTGT150DA120D3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013