STGB20H65DFB2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGB20H65DFB2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGB20H65DFB2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB20H65DFB2 даташит

 ..1. Size:473K  st
stgb20h65dfb2.pdfpdf_icon

STGB20H65DFB2

STGB20H65DFB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a D PAK package Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A 2 3 Very fast and soft recovery co-packaged diode 1 Minimized tail current D PAK Tight parameter distribution Low thermal resistance C(2, TAB)

 6.1. Size:1853K  st
stgb20h60df.pdfpdf_icon

STGB20H65DFB2

STGB20H60DF, STGF20H60DF, STGP20H60DF 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features TAB High speed switching Tight parameters distribution 3 Safe paralleling 3 2 2 1 1 Low thermal resistance TO-220 TO-220FP Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diode TAB Applications 3 1 Motor contr

 8.1. Size:1553K  st
stgb20v60f.pdfpdf_icon

STGB20H65DFB2

STGB20V60F, STGP20V60F 600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Very high speed switching series TAB TAB Tail-less switching off Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A 3 3 Tight parameters distribution 2 1 1 Safe paralleling D2PAK TO-

 8.2. Size:677K  st
stgb20m65df2.pdfpdf_icon

STGB20H65DFB2

STGB20M65DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT Features TAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution 2 3 Safer paralleling 1 Low thermal resistance D PAK Soft and very fast recovery antiparallel diode C(2, TAB) Applications Motor control UPS G(1)

Другие IGBT... NCE80TD60BT, STGB10M65DF2, STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4, STGB14NC60KDT4, STGB15M65DF2, STGB19NC60HDT4, STGB19NC60KDT4, FGH40N60UFD, STGB20M65DF2, STGB30H60DFB, STGP30H60DFB, STGB3HF60HD, STGD3HF60HDT4, STGF3HF60HD, STGP3HF60HD, STGB40H65FB