STGB20M65DF2 - аналоги и описание IGBT

 

STGB20M65DF2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: STGB20M65DF2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для STGB20M65DF2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры STGB20M65DF2

 ..1. Size:677K  st
stgb20m65df2.pdfpdf_icon

STGB20M65DF2

STGB20M65DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT Features TAB High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution 2 3 Safer paralleling 1 Low thermal resistance D PAK Soft and very fast recovery antiparallel diode C(2, TAB) Applications Motor control UPS G(1)

 8.1. Size:1553K  st
stgb20v60f.pdfpdf_icon

STGB20M65DF2

STGB20V60F, STGP20V60F 600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Very high speed switching series TAB TAB Tail-less switching off Low saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 20 A 3 3 Tight parameters distribution 2 1 1 Safe paralleling D2PAK TO-

 8.2. Size:462K  st
stgb20nb32lz stgb20nb32lz-1 .pdfpdf_icon

STGB20M65DF2

STGB20NB32LZ STGB20NB32LZ-1 N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB20NB32LZ CLAMPED

 8.3. Size:464K  st
stgb20nc60v stgp20nc60v stgw20nc60v.pdfpdf_icon

STGB20M65DF2

STGB20NC60V, STGP20NC60V, STGW20NC60V 30 A - 600 V - very fast IGBT Datasheet - production data Features High frequency operation up to 50 kHz Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) High current capability 3 3 2 2 1 1 Applications TO-247 TO-220 3 1 High frequency inverters UPS, motor drivers D PAK HF, SMPS and PFC in both hard

Другие IGBT... STGB10M65DF2 , STGB10NC60KDT4 , STGD10NC60KDT4 , STGB14NC60KDT4 , STGB15M65DF2 , STGB19NC60HDT4 , STGB19NC60KDT4 , STGB20H65DFB2 , MBQ60T65PES , STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF .

History: STGD3NB60SD

 

 
Back to Top

 


 
.