Справочник IGBT. FGP3040G2-F085

 

FGP3040G2-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP3040G2-F085
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 41
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 1900
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP3040G2-F085

 

 

FGP3040G2-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  onsemi
 fgb3040g2-f085 fgd3040g2-f085 fgp3040g2-f085 fgi3040g2-f085.pdf

FGP3040G2-F085 FGP3040G2-F085

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top