Справочник IGBT. FGP3040G2-F085

 

FGP3040G2-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP3040G2-F085
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1900 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 21 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP3040G2-F085

 

 

FGP3040G2-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  onsemi
 fgb3040g2-f085 fgd3040g2-f085 fgp3040g2-f085 fgi3040g2-f085.pdf

FGP3040G2-F085 FGP3040G2-F085

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... FGAF30S65AQ , FGAF40N60SMD , FGAF40S65AQ , FGB20N60SFD-F085 , FGB3040CS , FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , IKW40N65WR5 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , FGD3440G2-F085 , FGP3440G2-F085 , FGB40T65SPD-F085 , FGB5N60UNDF .

 

 
Back to Top