FGP3440G2-F085 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGP3440G2-F085
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26.9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FGP3440G2-F085 Datasheet (PDF)
fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
Другие IGBT... FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , FGD3440G2-F085 , RJH60F7BDPQ-A0 , FGB40T65SPD-F085 , FGB5N60UNDF , FGB7N60UNDF , FGD2736G3-F085 , FGD2736G3-F085V , FGD3040G2-F085C , FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V .
History: 2PG006 | CM2400HC-34H
History: 2PG006 | CM2400HC-34H



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468