FGP3440G2-F085 - аналоги и описание IGBT

 

FGP3440G2-F085 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGP3440G2-F085

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26.9 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FGP3440G2-F085

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGP3440G2-F085 даташит

 ..1. Size:1260K  onsemi
 fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdf pdf_icon

FGP3440G2-F085

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , FGD3440G2-F085 , IRGB20B60PD1 , FGB40T65SPD-F085 , FGB5N60UNDF , FGB7N60UNDF , FGD2736G3-F085 , FGD2736G3-F085V , FGD3040G2-F085C , FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V .

History: IXSX50N60BD1 | FGH75T65SQD | SMBL1G50US60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.