Справочник IGBT. FGP3440G2-F085

 

FGP3440G2-F085 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGP3440G2-F085
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26.9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FGP3440G2-F085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1260K  onsemi
fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdfpdf_icon

FGP3440G2-F085

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие IGBT... FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , FGD3440G2-F085 , RJH60F7BDPQ-A0 , FGB40T65SPD-F085 , FGB5N60UNDF , FGB7N60UNDF , FGD2736G3-F085 , FGD2736G3-F085V , FGD3040G2-F085C , FGB3040G2-F085C , FGD3040G2-F085V .

History: 2PG006 | CM2400HC-34H

 

 
Back to Top

 


 
.