Справочник IGBT. FGD2736G3-F085V

 

FGD2736G3-F085V - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGD2736G3-F085V
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 37.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.25 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 3000 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18 nC
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для FGD2736G3-F085V

 

 

FGD2736G3-F085V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1007K  onsemi
fgd2736g3-f085.pdf

FGD2736G3-F085V
FGD2736G3-F085V

FGD2736G3-F085EcoSPARKTM 3 270mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBTApplications Features SCIS Energy = 270mJ at TJ = 25C Automotive Ignition Coil Driver Circuits SCIS Energy = 170mJ at TJ = 150C Coil On Plug Applications Logic Level Gate Drive RoHS CompliantAbsolute Maximum Ratings TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings UnitsBVCER Co

 0.1. Size:477K  onsemi
fgd2736g3-f085v.pdf

FGD2736G3-F085V
FGD2736G3-F085V

FGD2736G3-F085VEcoSPARK) 3 Ignition IGBT270 mJ, 360 V, N-Channel Ignition IGBTFeatures SCIS Energy = 270 mJ at TJ = 25Cwww.onsemi.com Logic Level Gate Drive Low Saturation Voltage RoHS Compliant AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableCOLLECTORApplications Automotive Ignition Coil Driver CircuitsR1GATE High Current Ignition System Coil on Plu

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top